г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FZ2400R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies

Артикул
FZ2400R17HP4B2BOSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 4800 A 13000 W Chassis Mount Module
Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FZ2400R17HP4B2BOSA2.jpg
Base Product Number
FZ2400
Other Names
FZ2400R17HP4_B2,SP001052018
Configuration
Half Bridge
Power - Max
13000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
4800 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
2
Series
-
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
195 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IKW40N65ET7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N65ET7XKSA1, IGBT Trench Field Stop 650 V 76 A 230.8 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRL7833SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module
Подробнее