г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FZ600R17KE4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FZ600R17KE4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1700 V 1200 A 3350 W Chassis Mount Module
Цена
38 068 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FZ600R17KE4HOSA1.jpg
Base Product Number
FZ600R17
Other Names
SP000713626,FZ600R17KE4
Configuration
Single
Power - Max
3350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1200 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
49 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF2804S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPB60R380C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPD30N10S3L34ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3, N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: AUIRF2804L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BAT6804E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее