г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R070P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R070P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
698 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R070P6.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
391W (Tc)
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
ROCINFIPW60R070P6,2156-IPW60R070P6
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BBY57-02V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IRFZ44Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IGW25T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPB10N10L G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRFR4510TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 56A DPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FZ900R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 4300W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 4300 W Chassis Mount Module
Подробнее