г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Цена
450 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUC100N08S5N043ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 63µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3860 pF @ 40 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-34
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Other Names
SP001780758,448-IAUC100N08S5N043ATMA1CT,448-IAUC100N08S5N043ATMA1DKR,448-IAUC100N08S5N043ATMA1TR
Standard Package
5,000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Base Product Number
IAUC100
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLB8721PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3711PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZSTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC070N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON, N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее