г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUC120N04S6N009ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33, N-Channel 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Цена
541 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUC120N04S6N009ATMA1.jpg
Other Names
IAUC120N04S6N009ATMA1DKR,SP001688678,IAUC120N04S6N009ATMA1TR,IAUC120N04S6N009ATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Base Product Number
IAUC120
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-33
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4020PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRL3705NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7465PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRL3402
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB, N-Channel 20 V 85A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее