г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUZ18N10S5L420ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32, N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Цена
94 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUZ18N10S5L420ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
IAUZ18
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-32
Series
OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR,SP002143556
Standard Package
5,000
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC0802LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON, N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRFP4310ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGP4069PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAS5202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2, Diode Schottky 45 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRF9328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF1018ESPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее