г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUZ18N10S5L420ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32, N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Цена
94 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUZ18N10S5L420ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
IAUZ18
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-32
Series
OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR,SP002143556
Standard Package
5,000
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS75R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 350W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 105 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3704ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB, N-Channel 20 V 67A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF9952
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP030N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее