г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUZ18N10S5L420ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32, N-Channel 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Цена
94 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUZ18N10S5L420ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
IAUZ18
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-32
Series
OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR,SP002143556
Standard Package
5,000
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB03N03LA
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3, N-Channel 25 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPD50N03S2L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRL3102S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPD50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее