г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDH06S60CAKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Цена
353 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDH06S60CAKSA1.jpg
Other Names
2156-IDH06S60CAKSA1-IT,IDH06S60C-ND,SP000657978,ROCINFIDH06S60CAKSA1
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
80 µA @ 600 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
6A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
HTSUS
8541.10.0080
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Capacitance @ Vr, F
280pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6726MTR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF7316PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее