г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDH10G65C6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Цена
837 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDH10G65C6XKSA1.jpg
Base Product Number
IDH10G65
Other Names
SP001620590
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
33 µA @ 420 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
24A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
495pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFL014NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223, N-Channel 55 V 1.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRFS6535
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IHW20N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее