г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDH10G65C6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Цена
837 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDH10G65C6XKSA1.jpg
Base Product Number
IDH10G65
Other Names
SP001620590
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
33 µA @ 420 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
24A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
495pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLU8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK, N-Channel 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: ISC022N10NM6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH >=100V PG-TSON-8, N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IRF7240PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее