г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC042NE7NS3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLL014NTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF7322D1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLIZ34N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP, N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее

Ваша заявка принята