г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFL024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223, N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF7739L2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, N-Channel 40 V 46A (Ta), 375A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRGS4B60KD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD90P04P4L04ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3, P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее

Ваша заявка принята