г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Цена
195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60XKSA1.jpg
Other Names
IFEINFIDP30E60XKSA1,SP000683032,IDP30E60-ND,IDP30E60,2156-IDP30E60XKSA1
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Reverse Recovery Time (trr)
126 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 600 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
52.3A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
HTSUS
8541.10.0080
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Capacitance @ Vr, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPI07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: MMBTA06LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR NPN 80V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF9952PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKP20N60H3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 170W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Through Hole PG-TO220-3
Подробнее