г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDW30G65C5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Цена
2 163 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDW30G65C5XKSA1.jpg
Base Product Number
IDW30G65
Other Names
SP001632892
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
220 µA @ 650 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
30A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
860pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC360N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRLML6246TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23, N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL3215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB, N-Channel 150 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6802SDTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее