г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IGT60R190D1SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Цена
2 590 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IGT60R190D1SATMA1.jpg
Other Names
IGT60R190D1SATMA1DKR,2156-IGT60R190D1SATMA1-448,SP001701702,IGT60R190D1SATMA1CT,IGT60R190D1SATMA1TR
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Power Dissipation (Max)
55.5W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Base Product Number
IGT60R190
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,000
Series
CoolGaN™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
-10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCX68-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFB4332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK, N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IHW30N160R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1600 V 60 A 263 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее