г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies

Артикул
IPA50R190CEXKSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
405 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA50R190CEXKSA2.jpg
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1137 pF @ 100 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFIPA50R190CEXKSA2,SP001364312,2156-IPA50R190CEXKSA2
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPA50R190
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: IRF1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB, N-Channel 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC807-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRLB8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB, N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAS21UE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH SPEED SWITCHING DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: IRF7402PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO, N-Channel 20 V 6.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее