г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N60H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 80A 306W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
520 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW40N60H3FKSA1.jpg
Other Names
IGW40N60H3,IGW40N60H3-ND,SP000769926
Test Condition
400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Power - Max
306 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
1.68mJ
Gate Charge
223 nC
Base Product Number
IGW40N60
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
19ns/197ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6215L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A TO262, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB, P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BDP956
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSG0810NDIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Подробнее
Артикул: IPP045N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLML2803TRPBF-1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее