г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW20N120R2 Infineon Technologies

Артикул
IHW20N120R2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 40A 330W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW20N120R2.jpg
Test Condition
600V, 20A, 15Ohm, 15V
Power - Max
330 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 20A
Switching Energy
1.2mJ (off)
Gate Charge
143 nC
Other Names
SP000212015
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/359ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD60R1K4C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFR9024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRAMS06 - INTELLIGENT POWER MODU, Power Driver Module
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: IPP50R190CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее