г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW20N120R2 Infineon Technologies

Артикул
IHW20N120R2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 40A 330W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW20N120R2.jpg
Test Condition
600V, 20A, 15Ohm, 15V
Power - Max
330 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 20A
Switching Energy
1.2mJ (off)
Gate Charge
143 nC
Other Names
SP000212015
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/359ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFP183
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: SPB10N10LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IKW60N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 416 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRLZ34NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее