г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW20N120R3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW20N120R3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW20N120R3FKSA1.jpg
Other Names
IHW20N120R3,SP000437702,IFEINFIHW20N120R3FKSA1,IHW20N120R3-ND,2156-IHW20N120R3FKSA1
Test Condition
600V, 20A, 15Ohm, 15V
Power - Max
310 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Switching Energy
950µJ (off)
Gate Charge
211 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/387ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS 40-06 B5003
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRF3515L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A TO262, N-Channel 150 V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7780MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET, N-Channel 75 V 89A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLML9301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23, P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее