г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC130P03LS G Infineon Technologies

Артикул
BSC130P03LS G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
P-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
5,000
Other Names
2156-BSC130P03LS G,IFEINFBSC130P03LS-G
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS50R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: ISC015N04NM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8, N-Channel 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRFHS9351TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
Подробнее
Артикул: IRF6216PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее