г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N120R2 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N120R2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N120R2.jpg
Test Condition
600V, 30A, 28Ohm, 15V
Power - Max
390 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Switching Energy
3.1mJ
Gate Charge
198 nC
Other Names
2156-IHW30N120R2-IT,IFEINFIHW30N120R2
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/792ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SI4435DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFZ44VPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB, N-Channel 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAS1602VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2, Diode Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IPA086N10N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Подробнее