г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKP20N60H3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 170W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Through Hole PG-TO220-3
Цена
432 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKP20N60H3XKSA1.jpg
Other Names
IKP20N60H3,IKP20N60H3-ND,SP000852236
Test Condition
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Power - Max
170 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Switching Energy
690µJ
Gate Charge
120 nC
Td (on/off) @ 25°C
16ns/194ns
Base Product Number
IKP20N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Reverse Recovery Time (trr)
112 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPP60R180 - 13A, 600V, N-CHANEL, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRLU3410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF7379
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BSS670S2L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее