г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW30N60T Infineon Technologies

Артикул
IKW30N60T
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Цена
343 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW30N60T.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFIKW30N60T,2156-IKW30N60T
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS75R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 350W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 105 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL40S212
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRF7606TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8, P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRF5803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее

Ваша заявка принята