г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC054N04NSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON, N-Channel 40 V 17A (Ta), 81A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC054N04NSGATMA1.jpg
Other Names
BSC054N04NS GTR-ND,BSC054N04NS GCT-ND,BSC054N04NSGATMA1TR,BSC054N04NS GDKR-ND,BSC054N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC054N04NSGATMA1DKR,BSC054N04NSGATMA1CT,BSC054N04NSG,BSC054N04NS G-ND,BSC054N04NS GTR,BSC054N04NS G,BSC054N04NS GCT,BSC
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC054
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF3205ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL5602S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK, P-Channel 20 V 24A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA50R500CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP, N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: BSC016N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRF3205STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее