г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW50N60T Infineon Technologies

Артикул
IKW50N60T
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Цена
512 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW50N60T.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IKW50N60T,INFINFIKW50N60T
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB33N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD60R600P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3, N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF6668TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IRL1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD110N12N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3, N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее

Ваша заявка принята