г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Цена
1 233 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKZ50N65EH5XKSA1.jpg
Other Names
IKZ50N65EH5,SP001160038
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Power - Max
273 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Switching Energy
410µJ (on), 190µJ (off)
Gate Charge
109 nC
Td (on/off) @ 25°C
20ns/250ns
Base Product Number
IKZ50N65
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop™ 5
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Supplier Device Package
PG-TO247-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
53 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFB4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSO040N03MSGXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSO040N03MS - 30V N-CHANNEL POWE, N-Channel 30 V 16A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: IRFR2905ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BFS483H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IKW30N60DTPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 53A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 53 A 200 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее