г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA60R190E6 Infineon Technologies

Артикул
IPA60R190E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
Цена
265 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPA60R190E6.jpg
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIPA60R190E6,2156-IPA60R190E6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUZ30AHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC POWER MODULE PLUG N DRIVE INT, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IDW100E60FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее