г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB010N06NATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Цена
1 292 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB010N06NATMA1.jpg
Other Names
IPB010N06NDKR-ND,IPB010N06NCT-ND,IPB010N06NTR-ND,IPB010N06NDKR,SP000917410,IPB010N06NATMA1CT,IPB010N06NATMA1DKR,IPB010N06N,IPB010N06NATMA1TR,IPB010N06NTR,IPB010N06N-ND,IPB010N06NCT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IPB010
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Supplier Device Package
PG-TO263-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA80R650CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F, N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Подробнее
Артикул: SI4435DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6215SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAW156
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 85 V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее