г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB015N04LGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
834 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB015N04LGATMA1.jpg
Other Names
IPB015N04L GTR,IPB015N04L GDKR-ND,IPB015N04L G,IPB015N04L GDKR,IPB015N04LGATMA1TR,IPB015N04LGATMA1DKR,IPB015N04L GCT,IPB015N04L G-ND,SP000387948,IPB015N04L GTR-ND,IPB015N04L GCT-ND,IPB015N04LGATMA1CT,IPB015N04LG
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IPB015
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT2907ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPA80R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F, N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRFR812TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK, N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFIZ48N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP, N-Channel 55 V 36A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFR9N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK, N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее