г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB26CN10N Infineon Technologies

Артикул
IPB26CN10N
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB26CN10N.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Other Names
INFINFIPB26CN10N,2156-IPB26CN10N
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK, N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4IBC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: HFA15TB60PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее