г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB407N30NATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK, N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
1 726 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB407N30NATMA1.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40.7mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7180 pF @ 100 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001273344,448-IPB407N30NATMA1CT,IPB407N30NATMA1-ND,448-IPB407N30NATMA1TR,448-IPB407N30NATMA1DKR
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPB407
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRL2505L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO262, N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPW60R037P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3, N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Подробнее
Артикул: AUIRF7103Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6618
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET, N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Подробнее