г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Цена
31 912 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Standard Package
10
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Last Time Buy
Package
Tray
Other Names
BSM50GX120DN2,IFEINFBSM50GX120DN2BOSA1,2156-BSM50GX120DN2BOSA1,SP000100372

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD048N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7821PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9530NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK, P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPW12N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IHW30N110R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята