г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD100N04S402ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Цена
344 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD100N04S402ATMA1.jpg
Other Names
IPD100N04S402ATMA1CT,INFINFIPD100N04S402ATMA1,IPD100N04S4-02-ND,SP000646184,2156-IPD100N04S402ATMA1,IPD100N04S402ATMA1DKR,IPD100N04S4-02,IPD100N04S402ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPD100
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB, N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC028N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRGP4066DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLR8729TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее