г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD50N03S4L06ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Цена
106 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD50N03S4L06ATMA1.jpg
Other Names
SP000415580,IPD50N03S4L06ATMA1-ND,INFINFIPD50N03S4L06ATMA1,IPD50N03S4L06ATMA1CT,IPD50N03S4L06ATMA1TR,IPD50N03S4L06ATMA1DKR,2156-IPD50N03S4L06ATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
56W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IPD50N03
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW25T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ028N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IPA60R299CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR,
Подробнее
Артикул: IRF3708PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF3708 - 12V-300V N-CHANNEL POW, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее