г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS3307ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS3307ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
503 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS3307ZPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001576230,64-4163PBF,64-4163PBF-ND
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BCX68-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPN50R3K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее
Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE SWITCHES, IGBT
Подробнее