г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD50R800CE Infineon Technologies

Артикул
IPD50R800CE
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD50R800CE.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFIPD50R800CE,2156-IPD50R800CE
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB20B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFR3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFS31N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFR2405PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK, N-Channel 55 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее

Ваша заявка принята