г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD60R380C6 Infineon Technologies

Артикул
IPD60R380C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD60R380C6.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
IPD60R380C6BTMA1,IPD60R380C6INCT,SP000660628,IPD60R380C6INDKR,IPD60R380C6INTR
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,500
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW15N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPA60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRL60HS118
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN, N-Channel 60 V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRLML5103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23, P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее