г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD70R360P7SAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD70R360P7SAUMA1.jpg
Other Names
SP001491634,IPD70R360P7SAUMA1CT,IPD70R360P7SAUMA1TR,IPD70R360P7SAUMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
59.4W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
517 pF @ 400 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPD70R360
Mounting Type
Surface Mount
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR2908TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF3415PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: IPD12CN10N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR3710ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее