г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ440N10NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ440N10NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ440N10NS3G,BSZ440N10NS3 GINTR,BSZ440N10NS3 G-ND,BSZ440N10NS3GATMA1CT,BSZ440N10NS3 GINTR-ND,SP000482442,BSZ440N10NS3GATMA1TR,BSZ440N10NS3 GINDKR-ND,BSZ440N10NS3 GINCT,BSZ440N10NS3GATMA1DKR,BSZ440N10NS3 GINCT-ND,BSZ440N10NS3 G,BSZ440N10NS3 GINDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
29W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ440
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR15N20DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRGP4086PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 300V 70A 160W TO247AC, IGBT Trench 300 V 70 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: IRFR4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRL3713PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB7545PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 95A TO220, N-Channel 60 V 95A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее