г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD70R900P7SAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3, N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD70R900P7SAUMA1.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
211 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPD70R900P7SAUMA1DKR,IPD70R900P7SAUMA1CT,IPD70R900P7SAUMA1TR,SP001491638
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPD70R900
Power Dissipation (Max)
30.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6665
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET, N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Подробнее
Артикул: IRL6372PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGP4068D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BUZ30AH
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: AIKW30N60CTXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC DISCRETE 600V TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRLML2502TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23, N-Channel 20 V 4.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее