г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGP20N60H3 Infineon Technologies

Артикул
IGP20N60H3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGP20N60H3.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IGP20N60H3,IFEINFIGP20N60H3
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF540NLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO262, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF2807ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF530NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPD40DP06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3, P-Channel 60 V 4.3A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее

Ваша заявка принята