г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPN70R750P7SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223, N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 6.7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Цена
150 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPN70R750P7SATMA1.jpg
Other Names
IPN70R750P7SATMA1-ND,SP001664912,IPN70R750P7SATMA1DKR,IPN70R750P7SATMA1CT,IPN70R750P7SATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
6.7W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
306 pF @ 400 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPN70R750
Mounting Type
Surface Mount
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD35N10S3L-26
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU,
Подробнее
Артикул: IRAM136-3023B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC INTEGRATD PWR HYBRID 30A 150V, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFU4105ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL2910SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее