г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
646 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP034NE7N3GXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPP034NE7N3G,SP000641724,INFINFIPP034NE7N3GXKSA1,IPP034NE7N3 G,IPP034NE7N3 G-ND,2156-IPP034NE7N3GXKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP034
Power Dissipation (Max)
214W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS100R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSL205NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IRLU3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: DD104N16KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Подробнее