г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP037N08N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPP037N08N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPP037N08N3 G,2156-IPP037N08N3 G
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1010ESTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK, N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR166E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IGW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 80A 306W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FZ2400R17HP4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 4800 A 13000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLB3034PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее