г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP037N08N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPP037N08N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPP037N08N3 G,2156-IPP037N08N3 G
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD60R600P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 6A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFH6200TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN, N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRG4BC20S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 19 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6894MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: BFP740E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее

Ваша заявка принята