г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP051N15N5AKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, N-Channel 150 V 120A (Tc) 500mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
1 285 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP051N15N5AKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 75 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
SP001279600
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP051
Power Dissipation (Max)
500mW (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3707Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB, N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7322D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF7410GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF7410 - 16A, 12V, 0.007OHM, P-, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее