г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP60R165CP Infineon Technologies

Артикул
IPP60R165CP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M,
Цена
408 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP60R165CP.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IPP60R165CP,ROCINFIPP60R165CP
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFH5300TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: AUIRLS3036-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPB07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: IPG20N06S4L26AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее

Ваша заявка принята