IPP60R450E6XKSA1 Infineon Technologies
Артикул
IPP60R450E6XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3, N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
126 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP60R450E6XKSA1.jpg
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
IPP60R450E6-ND,SP000842486,IPP60R450E6,2156-IPP60R450E6XKSA1-IT,INFINFIPP60R450E6XKSA1
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
500
Vgs (Max)
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут