г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R060P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3, N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 280 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R060P7XKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2895 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IPW60R060P7XKSA1,ROCINFIPW60R060P7XKSA1,SP001647042
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPW60R060
Power Dissipation (Max)
164W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC072N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: IRFS7730-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK, N-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRFR3410TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK, N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRFR3710Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FS25R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BF20-40E6814
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET,
Подробнее