г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R060P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3, N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 280 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R060P7XKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2895 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IPW60R060P7XKSA1,ROCINFIPW60R060P7XKSA1,SP001647042
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPW60R060
Power Dissipation (Max)
164W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCV49H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 150MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: BSC0504NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON, N-Channel 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFB4137PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 38A TO220, N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFP4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC, N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF6645
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Подробнее