г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 318 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R090CFD7XKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2103 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001686056
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPW60R090
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7526D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 82 A 357 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCV48H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: BSZ0803LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON, N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: AUIRLR3410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SGB30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее