г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R125P6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPW60R125P6,2156-IPW60R125P6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB11N50APBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRFR5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF1503PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, N-Channel 30 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRGB4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W TO-220AB, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята