г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R125P6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPW60R125P6,2156-IPW60R125P6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGP40N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A TO220-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC0906NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: SPD08P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW60R060C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3, N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: AUIRF3004WL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-262-3 Wide
Подробнее

Ваша заявка принята