г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPW24N60C3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPW24N60C3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3, N-Channel 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 283 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPW24N60C3FKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24.3A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPW24N60C3IN,2156-SPW24N60C3FKSA1,INFINFSPW24N60C3FKSA1,SPW24N60C3-ND,SP000014695,SPW24N60C3IN-ND,SPW24N60C3,SPW24N60C3X,SPW24N60C3XK
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPW24N60
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BH20K-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRGB4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A TO220AC, IGBT 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: SPN04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4, N-Channel 600 V 800mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее