г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R125P6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPW60R125P6,2156-IPW60R125P6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRF7220
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 14V 11A 8SO, P-Channel 14 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6785MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET, N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 82 A 357 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее

Ваша заявка принята