г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R125P6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPW60R125P6,2156-IPW60R125P6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRGB4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A TO220AC, IGBT 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IPD80R4K5P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252, N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Подробнее
Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 60A 250W TO247AC, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRF1324
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB, N-Channel 24 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята