г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R125P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R125P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R125P6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ROCINFIPW60R125P6,2156-IPW60R125P6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPT026N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF, N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7341PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL2910STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF1310NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCV48H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята